SoC Snapdragon 855 будет на 30-40% быстрее Snapdragon 845

Snapdragon 855 проходит под кодовым названием Hana V1.0

По поводу однокристальной системы Snapdragon 845 многое уже понятно: она будет использовать 10-нанометровый технологический процесс, а дебютирует Snapdragon 845 в смартфонах Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ в начале следующего года.

Известный инсайдер Роланд Куандт (Roland Quandt) на своей страничке в Twitter сообщил, что следом за Snapdragon 845 свет увидит Snapdragon 855. Именно в Snapdragon 855, а не в Snapdragon 845, как предполагалось ранее, будет совершен переход на 7-нанометровый технологический процесс.

Соответствующая информация была опубликовала инженером Qualcomm Джорджем Фэнгом (George Fang) в социальной сети LinkedIn, который подтвердил, что работает над драйверами Linux для Snapdragon 845 и Snapdragon 855.

7-нанометровая SoC Snapdragon 855 будет на 40% быстрее Snapdragon 845

Также стало известно, что Snapdragon 845 проходит под кодовым названием Napali v2.0, а Snapdragon 855 внутри компании называют Hana v1.0. Превосходство Snapdragon 855 над Snapdragon 845 в плане производительности составит 30-40%, кроме того, новая энергоэффективная SoC должна включать отдельный блок для системы искусственного интеллекта.

Предположительно, производством Snapdragon 855 займется TSMC, эта SoC должна использоваться в Samsung Galaxy S10 и Note10, которые появятся на рынке в 2019 году.

Автор:

| Источник: Roland Quandt

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс