Технология памяти, в которой используется изменение фазового состояния носителя (phase-change memory, PCM), привлекает исследователей достаточно давно, но до широкого практического использования дело пока не дошло: в реальных системах доминируют микросхемы DRAM и NAND. Однако ситуация может измениться — ученые из IBM Research впервые продемонстрировали надежное хранение трех битов данных в ячейке PCM. Возможность хранения в одной ячейке трех битов информации повышает плотность хранения, за счет чего снижается удельная стоимость хранения.
В памяти PCM одному логическому уровню соответствует аморфное состояние вещества, второму — кристаллическое, соответствующие низкой и высокой проводимости. Распознавая восемь уровней проводимости, удается хранить в ячейке три бита. Память PCM — энергонезависимая, то есть сохраняет информацию в отсутствие питания. При этом от флэш-памяти она выгодно отличается высоким быстродействием и длительным сроком службы. По словам источника, число циклов перезаписи составляет не менее 10 млн. Для сравнения: современная флэш-память, используемая в SSD и флэшках, выдерживает около 3000 перезаписей.
По мнению IBM, память PCM может использоваться самостоятельно и в составе гибридных конфигураций вместе с флэш-памятью. Во втором случае PCM выступает в роли высокоскоростного буфера.
Источник: IBM Research