SK hynix завершила разработку памяти HBM3E с пропускной способностью 1,15 ТБ/с

Один из ведущих мировых производителей полупроводников, компания SK hynix, объявила о завершении разработки памяти HBM3E, предназначенной в первую очередь для задач искусственного интеллекта. По заявлениям компании, новый стандарт памяти может обрабатывать данные с пропускной способностью до 1,15 ТБ в секунду. В качестве сравнения: это эквивалентно обработке более 230 фильмов в FullHD качестве объёмом по 5 ГБ каждый в течение одной секунды.

Основной инновацией в HBM3E стала технология MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill). С её помощью удалось повысить эффективность рассеивания тепла на 10%. Этот процесс использует жидкий эпоксидный формовочный компаунд (liquid Epoxy Molding Compound или liquid EMC) для соединения кристаллов DRAM, позволяя создать более тонкие слои памяти. Помимо снижения толщины, liquid EMC обладает вдвое большей теплопроводностью по сравнению с стандартными непроводящими пленками (NCF), что в свою очередь приводит к снижению температуры нижних слоев памяти.

Дополнительное преимущество нового поколения памяти заключается в её обратной совместимости с HBM3. Это означает, что разработчики и производители оборудования смогут интегрировать новый стандарт памяти в уже существующие системы без необходимости внесения значительных конструктивных изменений.

Таким образом, с анонсом нового поколения памяти HBM3E, SK hynix подтверждает свою приверженность постоянному технологическому росту и стремлению к выполнению высоких требований индустрии, особенно в области разработки искусственного интеллекта.