SK hynix представила новый PLC, который не уступает в скорости записи TLC

Samsung Electronics планирует в следующем году выпустить 9-е поколение флэш-памяти V-NAND, в которой по-прежнему будет использоваться двухслойная стековая архитектура с более чем 300 слоями; Layer NAND flash memory.

На самом деле существуют и другие варианты повышения плотности хранения данных, помимо увеличения числа слоев. В настоящее время доступна флэш-память 3D NAND с 4-битовыми ячейками (QLC), и благодаря ей твердотельные накопители стали «доступными».

Несмотря на то, что твердотельные накопители начинают дорожать, несколько крупных производителей уже приступили к разработке следующего поколения устройств памяти на основе 5-битных ячеек (PLC).

На саммите FMS 2023 Flash Summit компания SK Hynix продемонстрировала результаты применения своей новой технологии PLC (5-Bit MLC).

Эта технология похожа на технологию Twin BiCS FLASH, разработанную компанией Armour Man в 2019 году. Просто в ней используются две 2,5-битные ячейки, поэтому одновременная двухпоточная запись должна быть намного быстрее, чем при 5-битной памяти.

В 5-битной ячейке память может содержать 32 различных пороговых напряжения, а время, необходимое для записи и проверки 32 различных пороговых напряжений с помощью PLC обычным способом, почти в 20 раз превышает время записи в TLC, что явно неприемлемо для пользователей.

Поэтому компания SK Hynix разработала новый тип PLC, который делит 5-битную ячейку на две 2,5-битные ячейки, каждая из которых также хранит 2,5 бита, а затем объединяет данные из каждой ячейки, получая 5-битные данные, что позволяет PLC записывать их примерно за то же время, что и TLC.