Samsung представила модули памяти DDR5 емкостью 1 ТБ

Благодаря прорыву в сфере производства DRAM компания Samsung Electronics стремится выпустить уникальный модуль памяти DDR5 ёмкостью 1 Тбайт.

Южнокорейский гигант разработал революционную 32-гигабитную (Гб) версию памяти DDR5 DRAM, которая стала самой емкой в индустрии и создана с использованием передовой 12-нм технологической платформы.

Этот виртуозный прорыв позволит Samsung в дальнейшем производить модули памяти DDR5 общей ёмкостью 1 Тбайт, однако преимущества перехода на 32-гигабитную DRAM не ограничиваются лишь этим. По сравнению с существующими 16-гигабитными модулями DDR5 DRAM, изготовленными по 12-нм технологии, энергопотребление сокращается на 10% при сравнении модулей общей ёмкостью 128 Гб.

Согласно заявлению Санг-Джуна Хванга, исполнительного вице-президента компании Samsung Electronics в подразделении DRAM Product & Technology, первыми пользователями новых модулей DRAM будут центры обработки данных, искусственный интеллект и сфера больших данных.

Samsung намерена начать массовое производство 12-нм модулей памяти DDR5 DRAM емкостью 32 Гбит к концу 2023 года.

Значительное увеличение емкости памяти на меньшей площади при более низком потреблении энергии всегда будет привлекательно для операторов центров обработки данных. Однако со временем эта технология памяти распространится на модули DDR5, используемые в настольных компьютерах и ноутбуках. На данный момент покупателям уже доступны комплекты памяти емкостью 192 Гбайт, состоящие из четырех модулей.