Новая технология памяти HBM3E от Samsung достигает скорости 1,2 ТБ/с и должна стать основой для следующего ИИ-монстра GPU GH200 от Nvidia

Новейшая технология памяти Samsung, известная как Shinebolt, имеет поразительную скорость в 9,8 Гбит/с, что эквивалентно 1,2 ТБ/с. Это означает более чем 50% повышение производительности по сравнению с предыдущей версией. Компания Samsung разработала память с высокой производительностью HBM3E, чтобы соответствовать потребностям облачного вычисления.

Shinebolt считается последователем модуля памяти Icebolt, что обладает скоростыми показателями до 6,4 Гбит/с.

HBM3E неизбежно будет использоваться в компонентах, создаваемых компанией Nvidia, особенно в GH200, который получил название Grace Hopper после недавней сделки, заключенной между компаниями. Это подтверждает, что новый модуль памяти Shinebolt найдет широкое применение в вычислительных системах с использованием ИИ.

По словам представителей Samsung, HBM3E будет являться базой для следующего поколения приложений ИИ, делая быстрее обучение и вывод информации в центрах обработки данными.

Особый интерес представляет ее включение в чип нового серии H200 Nvidia. По информации Korea Economic Daily, в сентябре между двумя компаниями было подписано соглашение о том, что Samsung начнет делать поставки Nvidia модулей памяти HBM3, а к 2024 году объемы поставок Samsung будут составлять около 30% компании Nvidia.