Samsung анонсировала технологию сверхплотной упаковки для создания SSD емкостью 256 ТБ

Компания Samsung раскрыла обновленную дорожную карту развития высокоплотных твердотельных накопителей. Согласно планам производителя, к 2027 году планируется выпуск устройств шестого поколения в форм-факторе E3. S объемом 256 ТБ.

Основой технологического решения стал переход от 16-слойной к 32-слойной компоновке кристаллов памяти в одном чипе. Новая технология позволяет объединять 32 кристалла QLC емкостью по 1 Тбит в единый корпус. Таким образом, емкость одной микросхемы достигает 4 ТБ, что обеспечивает возможность кратного увеличения общего объема накопителя.

Согласно графику разработки, высокоплотные накопители Samsung будут соответствовать стандарту EDSFF (Enterprise and Data Center Standard Form Factor). Пятое поколение устройств в форм-факторе E3. S позволит достичь емкости 128 ТБ. Следующий этап, запланированный на 2027 год, предполагает использование 32-слойных сборок на базе 2-терабитных кристаллов, что обеспечит итоговый объем 256 ТБ на одно устройство.

Стандарт E3. S ориентирован на применение в корпоративном секторе и центрах обработки данных. Он разработан для создания высокопроизводительных хранилищ с повышенной плотностью записи и стабильностью передачи данных. Ранее Samsung уже использовала этот стандарт в серии серверных накопителей PM1743.