Обзор SSD XPG Gammix S70 Blade 1 ТБ – где заканчивается заявленная скорость

Пост опубликован в блогах iXBT.com, его автор не имеет отношения к редакции iXBT.com

В этом материале разбираю SSD XPG Gammix S70 Blade объемом 1 ТБ. Сначала смотрю, из чего он собран на уровне железа — контроллер, тип памяти, общая архитектура. Уже после этого перехожу к замерам и практическим задачам, чтобы оценить поведение накопителя в разных типах нагрузки, а не только в идеальных условиях.

Комплект и внешний вид

Коробка небольшая, плотная, оформлена в ярком красном цвете. На лицевой стороне — изображение самого SSD и краткая информация по модели. В верхней части вынесены пиктограммы с ключевыми характеристиками: PCIe 4.0, NVMe 1.4, 3D NAND, наличие SLC-кеширования и совместимость с PS5. Внутри все максимально просто — сам накопитель и отдельный металлический радиатор.


Автор: BadMadSam
Автор: BadMadSam
Автор: BadMadSam
Автор: BadMadSam

Сам накопитель выполнен в формате M.2 2280. Плата черная. С одной стороны наклеена крупная белая наклейка с маркировкой и информацией, она занимает значительную часть поверхности и закрывает часть компонентов.

С обратной стороны открыта вся компоновка. Видно контроллер Innogrit, чипы памяти ADATA и элементы обвязки. Все расположено достаточно плотно, без пустых зон, но и без перегруженности.

Автор: BadMadSam
Автор: BadMadSam
Автор: BadMadSam
Автор: BadMadSam
Автор: BadMadSam
Автор: BadMadSam

Радиатор идет отдельно. Это тонкая металлическая пластина с геометрическим рисунком и логотипом XPG. С внутренней стороны нанесена термопрокладка, закрытая защитной пленкой. Толщина минимальная.

Тестирование

Результаты проверки дают понять, что здесь используется не просто условная 3D NAND, а конкретные чипы Micron на 232 слоя с TLC-структурой. Это определяется по идентификаторам памяти. Конфигурация включает 8 каналов и 8 кристаллов, без расширения по CE, что характерно для накопителей данного объема. Частота работы достигает 1200 MT/s — уровень нормальный, но не максимальный для PCIe 4.0 решений. Внутри применяется схема с динамическим SLC-кешированием и выделенным DRAM-буфером. За счет этого на коротких операциях накопитель держит высокую скорость, но при увеличении объема записи начинает проявляться зависимость от заполнения и перераспределения данных внутри NAND.

Для оценки производительности сначала использовал CrystalDiskMark. В режиме с максимальной нагрузкой накопитель показывает 7070 МБ/с на чтение и 4503 МБ/с на запись. При работе с случайными блоками и высокой глубине очереди значения достигают 976 тыс. операций в секунду на чтение и около 788 тыс. на запись.

При переходе к профилю, приближенному к повседневным задачам, результаты меняются. Скорость чтения падает до 3530 МБ/с, тогда как запись возрастает до 5174 МБ/с. Разброс становится более заметным и уже сильнее определяется типом операций. Для случайного доступа фиксируется около 77 МБ/с на чтение и 266 МБ/с на запись, что соответствует примерно 19 тыс. и 65 тыс. операций в секунду.


Автор: Noriyuki Miyazaki
Автор: Noriyuki Miyazaki