Благодаря ULTRARAM ваш компьютер может находиться в спящем режиме более 1000 лет

Пост опубликован в блогах iXBT.com, его автор не имеет отношения к редакции iXBT.com

ULTRARAM — это новый тип «универсальной памяти», срок службы которого превышает срок службы флэш-памяти вашего твердотельного накопителя и соответствует скорости чтения/записи системной памяти. И это все с меньшим энергопотреблением. Это своего рода святой Грааль памяти, который может изменить правила игры для вычислений. Неудивительно, что он только что получил награду на саммите по флэш-памяти.


Источник: www.pcgamer.com

По сути, это тип памяти, который теоретически может быть всем для всех устройств. Но, что неизбежно, он также довольно сложен по своей структуре.

«Наша запатентованная технология памяти использует квантово-механическое резонансное туннелирование, — говорится на сайте ULTRAM, — чтобы обеспечить непревзойденное сочетание скорости, энергонезависимости, долговечности и энергоэффективности».

Далее в брошюре о технологии поясняется, что: «ULTRARAM — это память на основе заряда, которая хранит данные, перемещая электроны в так называемый «плавающий затвор» или из него. Состояние заряда плавающего затвора считывается неразрушающим образом, измеряя проводимость нижележащего «канала». Последний компонент памяти — это барьер, который действует как «замок» для удержания электронов в плавающем затворе во время хранения данных. Барьер отпирается, чтобы позволить заряду течь, когда память записывается или стирается».

Технология исходит от Quinas Technology, компании, появившейся из Ланкастерского университета в Великобритании, где ULTRARAM был изобретен профессором физического факультета университета Манусом Хейном. Его появление на Flash Memory Summit — это его первая демонстрация, и кажется, что он может открыть целый новый мир устройств.

На данный момент у вас есть либо DRAM (или системная память), либо флэш-память. У них очень разные свойства, и поэтому они используются почти для совершенно разных целей. DRAM очень быстрая, скорость чтения и записи во много раз выше, чем у самого быстрого SSD, и ее можно перезаписывать практически столько раз, сколько вы хотите. Но это энергозависимая память, поэтому для хранения данных требуется постоянное питание. Как только отключается питание, исчезает и вся информация, поэтому спящий режим вашего ноутбука все равно будет разряжать аккумулятор.


Автор: Quinas Technology
Автор: Quinas Technology

И здесь на помощь приходит флэш-память. Она намного дешевле, намного медленнее, но долговечна и будет сохранять данные в течение длительного времени после отключения питания. Хотя он имеет сравнительно низкий рейтинг долговечности, когда чипы флэш-памяти изнашиваются со временем и в течение определенного количества циклов.

ULTRARAM обещает выполнять обе функции с производительностью на уровне DRAM, потребляя гораздо меньше энергии. И, как сообщается, он будет хранить данные в течение 1000 лет.

Quinas Technology называет применение ULTRARAM важным событием для центров обработки данных, где огромное количество энергии, необходимой им, потребляется потребностями памяти — либо сохранением данных в активной памяти, либо перемещением их между хранимой и активной памятью. Теоретически наличие ULTRARAM в вашем центре обработки данных может значительно снизить потребность в энергии в этом секторе.

Но это также может иметь огромные последствия и в потребительском пространстве. Спящего режима больше не будет, потому что вы можете сохранить состояние системы в ULTRARAM даже при выключенном питании и мгновенно запустить его из-за присущей ему скорости. Это было бы похоже на спящий режим Windows без каких-либо недостатков медленной загрузки, и вы могли бы вернуться к своему ПК через тысячу лет и теоретически практически мгновенно продолжить именно там, где остановились.

Возможно, важно то, что ULTRARAM — это не кремниевый продукт. Необходимое квантово-резонансное туннелирование, на которое он опирается, находится в составных полупроводниках, таких как антимонид галлия (GaSb), арсенид индия (InAs) и антимонид алюминия (AlSb), которые составляют текущую конструкцию ULTRARAM.

Технология только зародилась, и мы не знаем, каковы затраты на производство флэш-памяти или DRAM. Таким образом, его шансы откусить от сложившегося статус-кво будут зависеть от его потенциала массового рынка. Но это, безусловно, захватывающе и может оказать реальное влияние на все наши устройства.