Cоответствие внешних частот, временных задержек и времени доступа для различных типов памяти

Нижеследующие таблицы содержат значения требуемого времени доступа к RAM для различных внешних частот и временных задержек (wait state), а также фактические документированые характеристики чипов памяти. Приведены теоретические измышления, на практике все может отличаться как в лучшую, так и в худшую сторону. Тем не менее знание этих сведений может быть полезно при покупке памяти и настройке BIOS.

Циклы временных задержек	Внешняя частота (MHz)	Период таймера (ns)	tAA	tPC	tRAC	Тип RAM		tAA	tPC	tRAC
	Временные параметры системы		Требования системы к временным параметрам памяти (ns)			Временные параметры памяти по спецификации (ns)
6-3-3-3	50	20	60	60	100	-70	FPM	35	40	70
	60	16.7	50	50	83.5	-70	FPM	35	40	70
	66	15	45	45	75	-70	FPM	35	40	70
	75	13.3	40	40	66.5	-60	FPM	30	35	60
	83	12	36	36	60	-60	FPM	30	35	60
6-2-2-2	50	20	40	40	100	-70	EDO	35	30	70
	60	16.7	33.4	33.4	83.5	-60	EDO	30	25	60
	66	15	30	30	75	-60	EDO	30	25	60
	75	13.3	26.6	26.6	66.5	-50	EDO	25	20	50
	83	12	24	24	60	-50	EDO	25	20	50
5-2-2-2	50	20	40	40	80	-70	EDO	35	30	70
	60	16.7	33.4	33.4	66.8	-60	EDO	30	25	60
	66	15	30	30	60	-60	EDO	30	25	60
	75	13.3	26.6	26.6	53.2	-50	EDO	25	20	50
	83	12	24	24	48	-50	EDO	25	20	50

Красным обозначены значения временных параметров, требующих более быстрой памяти.
Красные числа в колонке спецификаций указывают на параметры, значение которых превышены.

SDRAM		Внешняя частота (MHz)	Период таймера (ns)	tAA (ns)	Маркировка времени доступа	tRAC (ns)	SDRAM	Аналогичное время доступа для асинхронной памяти
				Эквивалентные тайминги для SDRAM
7-1-1-1

CL3

(tAC = 8 ns)

27 мая 1999 Г.

Циклы ожидания и время доступа DRAM

Cоответствие внешних частот, временных задержек и времени доступа для различных типов памяти

Нижеследующие таблицы содержат значения требуемого времени доступа к RAM для различных внешних частот и временных задержек (wait state), а также фактические документированые характеристики чипов памяти. Приведены теоретические измышления, на практике все может отличаться как в лучшую, так и в худшую сторону. Тем не менее знание этих сведений может быть полезно при покупке памяти и настройке BIOS.

Циклы временных задержек	Внешняя частота (MHz)	Период таймера (ns)	tAA	tPC	tRAC	Тип RAM		tAA	tPC	tRAC
	Временные параметры системы		Требования системы к временным параметрам памяти (ns)			Временные параметры памяти по спецификации (ns)
6-3-3-3	50	20	60	60	100	-70	FPM	35	40	70
	60	16.7	50	50	83.5	-70	FPM	35	40	70
	66	15	45	45	75	-70	FPM	35	40	70
	75	13.3	40	40	66.5	-60	FPM	30	35	60
	83	12	36	36	60	-60	FPM	30	35	60
6-2-2-2	50	20	40	40	100	-70	EDO	35	30	70
	60	16.7	33.4	33.4	83.5	-60	EDO	30	25	60
	66	15	30	30	75	-60	EDO	30	25	60
	75	13.3	26.6	26.6	66.5	-50	EDO	25	20	50
	83	12	24	24	60	-50	EDO	25	20	50
5-2-2-2	50	20	40	40	80	-70	EDO	35	30	70
	60	16.7	33.4	33.4	66.8	-60	EDO	30	25	60
	66	15	30	30	60	-60	EDO	30	25	60
	75	13.3	26.6	26.6	53.2	-50	EDO	25	20	50
	83	12	24	24	48	-50	EDO	25	20	50

Красным обозначены значения временных параметров, требующих более быстрой памяти.
Красные числа в колонке спецификаций указывают на параметры, значение которых превышены.

SDRAM	Внешняя частота (MHz)	Период таймера (ns)	tAA (ns)	Маркировка времени доступа	tRAC (ns)	SDRAM	Аналогичное время доступа для асинхронной памяти
			Эквивалентные тайминги для SDRAM
7-1-1-1 CL3 (tAC = 8 ns)	66	15	41	"-15"	83	CL3	-70
	75	13.3	37.6		74.5		<-70
	83	12	35	"-12"	68		60
	100	10	31	"-10"	58		<-60
5-1-1-1 CL2 (tAC = 9 ns)	66	15	27	"-10"	54	CL2	-50
	75	13.3	25.3		48.9
	83	12	24		45
	100	10	22		39		-40
Для SDRAM: tAA = (CL-1)(Период таймера) + tAC + tSU tSetUp = 3 ns tRAC = (2CL-1)*(Период таймера) + tAC

Рассмотрение таблиц показывает преимущества 7-1-1-1 SDRAM. A "-10" (100 MHz) SDRAM работает чуть быстрее, чем "-60" асинхронная память.

Заметьте, что у SDRAM "-10" существует эквивалент. У SDRAM tRAC 58ns при CL3-100MHz, а 54ns при CL2-66MHz на 4ns быстрее. У SDRAM tAA при CL3-100MHz на 4ns медленней, чем CL2-66MHz!

SDRAM "-10" работающая с CL3 (7-1-1-1) может не работать при CL2 (5-1-1-1)!

Системные циклы задержки

Та жа информация, что и выше, но представлена в другой форме. По этой таблице можно определить, какие установки циклов ожидания необходимы для конкретной памяти.

Характеристики DRAM			Внешняя частота и период [MHz (ns)]
Тип RAM	tRAC	tPC or tCK	50 MHz (20 ns)	60 MHz (16.7 ns)	66.6 MHz (15 ns)	75 MHz (13.3 ns)	83 MHz (12 ns)
70ns FPM	70ns	40	5-2-2-2 6-3-3-3	6-3-3-3	6-3-3-3	6-3-3-3 7-4-4-4	6-3-3-3 7-4-4-4
60ns FPM	60ns	35	4-2-2-2 6-3-3-3	5-3-3-3 6-3-3-3	5-3-3-3 6-3-3-3	6-3-3-3	6-3-3-3
70ns EDO	70ns	30	5-2-2-2 6-2-2-2	5-2-2-2 6-2-2-2	6-2-2-2* 6-2-2-2	6-2-2-2 7-3-3-3	6-2-2-2 6-3-3-3
60ns EDO	60ns	25	4-2-2-2 6-2-2-2	5-2-2-2 6-2-2-2	5-2-2-2* 6-2-2-2	6-2-2-2	6-2-2-2 7-3-3-3
50ns EDO	50ns	20	4-1-1-1 5-2-2-2	4-2-2-2 5-2-2-2	5-2-2-2	5-2-2-2	5-2-2-2
CL3 SDRAM	5 cycles + tAC	10	7-1-1-1	7-1-1-1	7-1-1-1	7-1-1-1	7-1-1-1
CL2 SDRAM	3 cycles + tAC	12	5-1-1-1	5-1-1-1	5-1-1-1	5-1-1-1	5-1-1-1

X-Y-Y-Y = Циклы нормальных временных задержек.
X-Y-Y-Y = Минимальные задержки.
X-Y-Y-Y = Неправильные, но возможно рабочие задержки. Работа памяти в этих режимах не гарантируется.
* — Использование этих временных задержек возможно при грамотном дизайне модуля памяти.

При составлении этой таблицы мы руководствовались следующими принципами:

Первое число должно обеспечивать задержку больше чем tRAC, плюс один цикл на установку адреса.
Установка последующих адресов производится во время ожидания tRAC. (То есть установка второго адреса проходит незаметно и не требует дополнительных задержек)
Тайминги, соответствующие остальным числам не могут превышать tPC.

Новости

Раздел новостей >

Попробовать новый дизайн Подробнее