Компания Grandis, созданная в 2002 году, ведет разработки в области памяти STT-RAM (Spin Torque Transfer – передача спинового вращательного момента). Это один из видов памяти, претендующих на звание так называемой универсальной памяти – способной заменить, как быстродействующую оперативную память, так и энергонезависимую флэш-память.
Строительными блоками STT- RAM являются структуры с магнитным туннельным переходом - туннельные магниторезистивные элементы (magnetic tunnel junction, MTJ). Именно их и будет выпускать новый завод, кстати, первый в своем роде на территории знаменитой «Кремниевой долины».
Благодаря запуску производства, заказчики, приобретающие у Grandis лицензию на STT-RAM, но не имеющие опыта производства MTJ и соответствующего оборудования, получают возможность интегрировать новую память в свои однокристальные системы. Помимо изготовления MTJ по заказам клиентов Grandis, новое производство будет выполнять и другую роль – по сути дела, оно станет частью научно-исследовательского комплекса Grandis. Компания полагает, что «обкатанные» здесь технологические процессы можно будет внедрять на заводах заинтересованных заказчиков.
Хотя официально о запуске завода было объявлено только 18 мая, выпуск продукции – пока речь идет об опытных образцах – начался примерно месяц назад.
Источник: Grandis