Южнокорейский гигант, лидирующий среди производителей флэш-памяти, продемонстрировал публике первый работоспособный прототип того, что, как считается, сместит флэш-память высокой плотности типа NOR с роли основной памяти электронных устройств в ближайшие десять лет.
Речь идет о памяти с произвольным доступом, использующей эффект изменения фазового состояния вещества (Phase-change Random Access Memory, PRAM). Прототип PRAM плотностью 512 Мбит был показан на шестой ежегодной пресс-конференции в Сеуле.
Относящиеся к преимуществам PRAM свойства хорошей масштабируемости (более высокой, чем у памяти любого другого разрабатываемого сейчас типа), высокого быстродействия и энергонезависимости обусловили появление альтернативной расшифровки аббревиатуры PRAM: perfect RAM («совершенная память с произвольным доступом»).
Безусловно, ключевым достоинством PRAM является очень высокая скорость работы. Поскольку PRAM может записывать данные без предварительного стирания, которое необходимо для флэш-памяти, новая память примерно в 30 раз быстрее. Еще одни большой плюс PRAM – увеличенное количество циклов перезаписи (по меньшей мере, на порядок превосходящее показатель флэш-памяти типа NOR).
Начать коммерческие поставки PRAM Samsung планирует в 2008 году.
Источник: Samsung Electronics