Южнокорейский электронный гигант объявил о готовности производства, оптимизированного для изготовления полупроводниковых приборов с пониженным энергопотреблением по нормам 65 нм, к серийному выпуску продукции. Соответствующий технологический процесс налажен на новой фабрике S1, работающей с 300-мм пластинами.
Как сообщается, процесс предусматривает возможность изготовления семейства транзисторов, включающего модели с различными сочетаниями параметров. Например, транзисторов со сверхмалым током утечки или с повышенным быстродействием. В любом случае, речь идет о приборах, работающих в составе микросхем с пониженным энергопотреблением. Реализована возможность изготовления чипов, включающих до 9 уровней внутренних медных соединений. В качестве примеров, перечисленных в стандартном ассортименте «рабочих блоков», изготавливаемых по новому техпроцессу, названы ячейки статической памяти с произвольным доступом, компоненты для обработки цифровых и аналоговых сигналов.
Примечательно, что технология Samsung полностью совместима с технологиями партнеров по «общей платформе» (Common Platform), в частности, IBM и Chartered Semiconductor Manufacturing. Это качество оценят заказчики, заинтересованные во взаимозаменяемости поставщиков и возможности заказа одного и того же вида продукции у нескольких производителей.
Источник: Samsung Electronics