Транзисторы, разработанные NEC, будут иметь 65, 45-нм и даже более тонкий техпроцесс — BESS! @ 22.06.2006 09:25

NEC Corporation также представила новинку "из области транзисторостроения". Была анонсирована совместная разработка для производства высокопроизводительных SOC-устройств на базе элементов, произведенных по 65-нм и 45-нм нормам. Разработанная технология позволяет производить металлизированные транзисторы с большой диэлектрической постоянной (metal/high-k).

Результаты исследований достигнуты благодаря:

1. использованию высоконадежного пленочного диэлектрика HfSiON (Hf) и никель-силицидного затвора
2. устранению влияния фазы кристаллизации на Ni-FUSI затворе
3. использованию комбинации NiSi (n-FET) и Ni3Si (p-FET) для надежной работы
4. контролю высоты и ширины затвора

До сегодня существовало несколько проблем, связанных с производством транзисторов подобного рода (metal/high-k), они имели невысокую производительность при длительной работе из-за высокой утечки через ультратонкий стек затвора. Новая технология производства NEC решает эту основную проблему. К тому же, себестоимость производства транзисторов по новой технологии обещает быть ниже. Это позволит создавать портативную потребительскую электронику с очень низким энергопотреблением.

Новая технология производства транзисторов была представлена компанией NEC на прошедшем в США симпозиуме "2006 symposium VLSI".

Источник: Physisc Org