Корпорация Intel объявила о выпуске первого чипа флэш-памяти архитектуры NOR, произведенного по нормам 65-нм технологического процесса и с использованием технологии многоуровневой ячейки (MLC, multi-level cell).
Таким образом, компания хоть чуть-чуть, но опережает в технологическом плане своего соперника, Samsung, которая освоила производство по 70-нм нормам, но другого типа флэш-памяти – NAND.
65-нм микросхемы Intel обладают плотностью 1 Гбит и предназначаются для использования в мобильных телефонах. Как ожидается, поставки пробных образцов начнутся во втором квартале этого года.
Источник: EE Times