Компания Samsung Electronics сообщила о готовности к выпуску первой в мире 512-мегабитной памяти DDR2 SDRAM по нормам 70 нм. Как утверждает компания, это минимальные нормы, используемые сегодня при производстве DRAM.
Переход на 70 нм является логическим продолжением производства по нормам 80 и 90 нм, используемого при Samsung для выпуска большинства чипов DRAM на данный момент. Читая технологические новости, мы привыкаем к мельканию цифр. Казалось бы - всего 10-20 нм, очередная ступенька, о чем трубить? На самом деле, переход от 90 к 70 нм позволяет, как минимум, удвоить количество чипов, изготавливаемых из одной пластины кремния.
Переход на новые нормы сопряжен с освоением нескольких нововведений в конструкции DRAM: технологии формирования емкостей Metal-Insulator-Metal (MIM) и трехмерной архитектуры транзисторов, известной под обозначением "Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor" (S-RACT).
Планы Samsung включают выпуск по нормам 70 нм памяти объемом 1 и 2 Гб во второй половине 2006 года.
Источник: Samsung Electronics