И еще немного о полупроводниковых технологиях – компания Zarlink сообщает о разработке технологии создания комплементарных биполярных транзисторов на диэлектрике (Silicon On Insulator, SOI), работающих на частоте до 25 ГГц. Такие транзисторы, по мнению Zarlink, найдут применение в DVD-проигрывателях, цифровых видеомагнитофонах и ADSL-модемах.
Технологический процесс HSA обеспечивает создание биполярных транзисторов структуры n-p-n и p-n-p, работающих на частоте до 25 ГГц (частота среза – 12 ГГц) при рабочем напряжении коллектор-эмиттер 5 В. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер – 15 В.
Технологический процесс HSA также позволяет создавать диоды Шоттки, пассивные элементы на основе поликристаллического кремния, емкостные элементы типа MIM (металл-диэлектрик-металл, metal insulator metal) и MIS (металл-диэлектрик-кремний, metal insulator silicon).