IMEC подтверждает готовность иммерсионных технологий для производства по 45-нм нормам — Archont @ 25.09.2005 01:20

На минувшей неделе состоялся второй международный симпозиум по иммерсионной литографии (2nd International Symposium on Immersion Lithography), одним из главных результатов которого стало одобрение использования 193-нм иммерсионной литографии для массового производства полупроводниковых микросхем по 65-нм и 45-нм нормам.

В итоговом сообщении европейского исследовательского центра IMEC утверждается, что намеченные ранее сроки внедрения иммерсионной литографии в производство остаются в силе. В настоящее время продолжаются работы по изучению взаимодействия фоторезистивных покрытий и верхних слоев полупроводника с водой, но уже сейчас у исследователей складывается более-менее цельная картина.

Одной из главных проблем, однако, остается количество дефектов – но уже сейчас понятно, что иммерсия (погружение в воду) действительно вносит свой вклад в их образование.

IMEC называет несколько основных достижений, продемонстрированных в ходе симпозиума:

• Литографические инструменты с числовой апертурой менее 1 уже сейчас обеспечивают высокий выход годных чипов. Изучено взаимодействие фоторезиста с водой, продемонстрированы технологические процессы без внешнего слоя
• Сканеры с числовой апертурой более 1, наиболее полно использующие преимущества иммерсионного подхода, будут доступны на рынке в будущем году. Эффекты, связанные с поляризацией масок, могут быть сведены к минимуму при манипуляции с поляризацией источника света
• Для очень больших значений числовой апертуры (1,3), первые исследования жидкостей и оптических материалов подтверждают возможность использования иммерсионных технологий до 45-нм норм (правда, для этого придется использовать не воду, а жидкость с большим коэффициентом преломления)

Поэтому, в качестве направлений исследования на будущее, IMEC обозначила следующее:

• Выбор жидкостей и материалов для изготовления линза с высоким коэффициентом преломления
• Развитие технологий фоторезистивных покрытий
• Разработка растворов, снижающих количество дефектов, связанных с иммерсией
• Демонстрация возможности двойной экспозиции
• Управление поляризацией для значений числовой апертуры менее 1
• Разработка фотомасок с минимальной зависимостью от поляризации источника света

Источник: EE Times