Как сообщает источник, Samsung разработала новое поколение микросхем UtRAM (UniTransistor RAM, представленный сравнительно недавно тип ОЗУ, относящийся к классу псевдостатической оперативной памяти), во-первых, плотностью 256 Мбит, а, во-вторых, работающих на увеличенной тактовой частоте – до 133 МГц.
UtRAM отличается малым потреблением электроэнергии, вследствие чего позиционируется прежде всего для использования в качестве оперативной памяти мобильных телефонов. В частности, в этом году Samsung начала поставки MCP-микросхем, в которых могут быть объединены несколько чипов флэш-памяти, UtRAM или DRAM (на фото).
Новые, 133-МГц чипы, производятся с соблюдением норм 90-нм техпроцесса, начало поставок пробных экземпляров намечено на конец сентября, массовое производство начнется в конце этого года.
Технология UtRAM Samsung удовлетворяет требованиям стандарта pseudo SRAM, одобренного JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) и поддерживает, в частности, пакетный режим передачи данных (burst mode).
Источник: Nikkei