Уже достаточно активно присутствующая на рынке микропроцессоров для мобильных телефонов Intel предлагает принять общие спецификации шины памяти для взаимодействия с памятью разного типа в аппаратах разных производителей.
Как сообщает источник, Intel уже возглавила комитет JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), занимающийся изучением данного вопроса. В спецификациях, которые планируется принять, будут описаны интерфейсы взаимодействия с динамической оперативной (DRAM) и псевдостатической (PSRAM) оперативной памятью, флэш-памятью.
В основу будущего стандарта Intel предлагает положить архитектуру шины памяти для LP-DDR (low-power double-data-rate) DRAM. Для подсистем хранения данных, использующих флэш-память типа NAND или жесткие диски, предлагается воспользоваться наработками интерфейса MMC (multi-media card).
Источник: Parasound