В прессе достаточно часто упоминается о новых технологиях энергонезависимой памяти, и возникает ощущение, что технологии обычной оперативной памяти (RAM) разработчики обделяют вниманием. Решив показать, что это не так, компания Innovative Silicon представила технологию Z-RAM, любопытную тем, что для записи информации в ней не используются конденсаторы, как это традиционно делается в DRAM.
Для записи и хранения бита данных используется эффект «плавающего тела» (floating-body), проявляющийся в микросхемах, выполненных по технологии SoI (silicon-on-insulator, кремний-на-диэлектрике). В результате, Z-RAM можно интегрировать в стандартный SoI CMOS (КМОП) процесс, причем размер ячейки Z-RAM примерно вполовину меньше, чем размер ячейки DRAM.
Утверждается, что Innovative Silicon разработала функционирующие 90-нм прототипы, обеспечивающие время чтения и записи 3 нс.
Скорее всего, Z-RAM на первых порах найдет применение в качестве встраиваемой памяти в системах-на-чипе. Благодаря неплохому быстродействию новой памяти, ее, скорее всего, также будут использовать в качестве кэш-памяти второго уровня (L2) во встраиваемых процессорах или в качестве L3-кэша в высокопроизводительных процессорах.
Источник: PC Watch