Еще одно сообщение от Samsung, на этот раз, касающееся памяти для мобильных телефонов. Компания заявила о том, что разработала микросхемы оперативной памяти (DRAM) емкостью 512 Мбит, предназначенные для использования в мобильных телефонах.
Как сообщается в пресс-релизе, новые микросхемы обеспечивают пропускную способность до 333 Мбит/с, что достигается благодаря использованию параллельного 32-разрядного интерфейса. Таким образом, полагает Samsung, новые чипы памяти можно будет использовать в КПК и смартфонах нового поколения, поддерживающих высококачественную графику, портативных сканерах и пр.
Новая микросхема Samsung будет доступна как в варианте с поддержкой DDR (double data rate), так и с поддержкой только SDRAM (synchronous DRAM). Напряжение питания нового чипа составляет 1,8 В и компания планирует использовать его в MCP (multi-chip package) и SIP (system-in-a-package).
Как ожидается, Samsung начнет массовое производство новой памяти во второй половине 2005 года. Чипы будут выпускаться как в вариантах с организацией блоков 32 Мбит x 16, так и 16 Мбит х 32. Скорее всего, производство будет осуществляться с соблюдением норм 90-нм техпроцесса.