Texas Instruments представила микросхему Bluetooth-адаптера, выполненную с применением норм 90-нм техпроцесса. Это один из первых подобных чипов, выполненных по 90-нм нормам и предназначенных для интеграции в сотовые телефоны второго с половиной (2,5G) и третьего (3G) поколений.
Чип, названный BRF6300, построен на основе технологии TI Digital RF (цифро-аналоговой обработки высокочастотных сигналов), позволяющей объединить на одном кристалле базовую логику и радиочастотную часть. Изначально такие модули планировалось выпускать по 130-нм нормам.
Bluetooth-адаптер поддерживает спецификации EDR, соответственно, пропускная способность может достигать 3 Мбит/с. Потребляемый электрический ток – около 100 мкА.
Как ожидается, пробные экземпляры BRF6300 будут доступны во втором квартале 2005, начало массового производства намечено на четвертый квартал будущего года.