Компании Hynix Semiconductor и ProMOS Technologies сообщили, что могут подписать соглашение о сотрудничестве в области DRAM. По условиям рассматриваемого соглашения Hynix лицензирует ProMOS технологию «многослойных» конденсаторов, в свою очередь корейский производитель сможет воспользоваться услугами ProMOS по контрактному производству.
Обе компании начали налаживать отношения в декабре прошлого года, после того, как ProMOS отвергла предложения о сотрудничестве Elpida Memory. Новое соглашение между тайваньским и корейским производителями затрагивает не только сотрудничество в текущий момент времени, но и в будущем.
В настоящее время ProMOS производит микросхемы DRAM высокой плотности и ряд
нишевых продуктов, включая псевдо-SRAM, SDRAM с пониженным энергопотреблением
и MCM. Компания владеет одной 8-дюймовой и одной 12-дюймовой фабриками, используя
при серийном производстве компонентов 0,14 и 0,12-мкм техпроцессы.
Источник: Parasound