Компания Renesas Technology сообщила о выпуске 4 Гбит микросхем AG-AND, R1FV04G13R и R1FV04G14R, отличающихся высокой скоростью программирования – 10 Мбит/с. Образцы микросхем представлены заказчикам в Японии в сентябре, начало серийного производства запланировано на декабрь текущего года. Как ясно из типа, микросхемы предназначены для использования во всех устройствах, использующих NAND-флэш.
|
|||
| Характеристики | |||
| Наименование | R1FV04G13R | R1FV04G14R | |
| Организация | 512M words x 8 bits | 256M words x 16 bits | |
| Техпроцесс | 90 нм, ячейка AG-AND | ||
| Напряжение питания | 2,7~3,6 В | ||
| Программирование | Блок | 2048 + 64 байта (1 страница) | |
| Время | 600 µс (одновременно 4 банка) | ||
| Стирание | Блок | 8192 + 256 байт | |
| Время | 1 мс | ||
| Чтение | Первичный доступ | 100 µс | |
| Цикл | 45 нс | ||
| Потребляемый ток (при 3,3 В) | Режим ожидания | 20 µА | |
| Операция | 10 мА | ||
| Температурный диапазон | 0-70° С | ||
| Корпусировка | 48-контактный TSOP type I | ||