Явно готовясь к выпуску на рынок волны полупроводниковых микросхем нового поколения, IBM без лишней помпы добавила иммерсионную литографию в свои производственные планы.
Еще в прошлом году компания планировала продлить срок службы 193-нм сканеров до 65-нм норм, соответственно, 157-нм сканерам отводилась бы роль инструмента для работы с 45-нм нормами. Для 32-нм норм IBM исследовала возможность внедрения электронно-лучевой литографии, EUV (жесткий ультрафиолет) и других технологий. Однако, так как 157-нм литография (в немалой степени, с подачи Intel), была большинством компаний если уж не заброшена, то, в любом случае, оставлена без особого внимания, IBM решила последовать обшей тенденции и использовать иммерсионную литографию с своей работе.
В результате, Albany NanoTech, ASML, IBM и TEL начнут совместную работу над оптимизацией обработки 300-мм полупроводниковых пластин в прототипах иммерсионных инструментов ASML. К аналогичной работе в Европе также подключатся AMD и Infineon.
Источник: PC Watch