Компания Hynix Semiconductor сообщила о выпуске 4 Гб registered DIMM, выполненных на 1 Гбит компонентах DDR2 533 SDRAM (0,11-мкм техпроцесс) – 36 компонентов, и 2 Гб SO-DIMM (16 компонентов DDR2 533 SDRAM).
Выпуск новых наименований приурочен к представлению Intel чипсетов, поддерживающих DRAM нового поколения. По мнению руководства компании, предложение новых DDR2 решений позволит Hynix удержать свои позиции как на мировом рынке памяти вообще, так и в секторе DDR2 SDRAM в частности.
Напомним, что к настоящему моменту корейский производитель уже представил 1 Гб DDR2 registered модули (RDIMM) для серверов и высокопроизводительных рабочих станций, выполненные также на 1 Гбит компонентах: