Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске новых микросхем линейки Mobile DRAM, 256 Мбит DDR SDRAM чипов с шиной x32, предназначенной для использования в сотовых телефонах и выполненных с использованием норм 0,10-мкм техпроцесса.. По словам представителей компании, данные микросхемы позволят повысить качество работы коммуникационных устройств с трехмерной графикой. Образцы микросхем доступны уже в настоящее время, серийное производство запланировано на вторую половину 2004 года.
Разработка – очередное решение серии Mobile Synchronous DRAM, представленной микросхемами обоих типов – как SDR, так и DDR SDRAM плотностью от 64 до 512 Мбит. Скорость передачи данных новых микросхем составляет около 266 Мбит/с на контакт, пропускная способность – 1,064 Гб/с. Низкое энергопотребление микросхем позволяет использовать память не только в сотовых телефонах. Но и в смартфонах, MP3-плеерах, КПК.
К настоящему моменту в линейке 256 Мбит мобильной SDR SDRAM присутствуют серийно производимые K4M563233E (8Mx32) с напряжением Vdd/Vddq 3,0/3,3 В и K4M56323LE с напряжением 2,5/2,5 В, а также K4S563233F и K4S56323LF – с аналогичными напряжениями – в 90-контактных корпусах FBGA, образцы которых представлены в марте.
Источник: GlobeTechnology