Samsung Electronics, как сообщает ряд источников, сообщила о выпуске новой, скоростной версии 2 Гбит микросхем NAND-флэш, выполненных с использованием норм 90-нм техпроцесса, о которых мы уже упоминали сегодня. Пропускная способность новых микросхем повышена с 16,4 до 24,1 Мб/с – примерно на 47%; время доступа при последовательной скорости/записи для чипов сокращено с 50 до 30 нс.
Всего компания планирует представить три разновидности микросхем, выполненных по 90-нм технологии: однокристальная микросхема 2 Гбит, двухкристальный вариант – 4 Гбит и 4-кристальная версия – 8 Гбит. Кстати, последние микросхемы (1 Гбайт) вполне могут использоваться в качестве в качестве базы для создания новых USB-брелоков, в планшетных ПК, КПК, твердотельных дисках и т.п. Информации о цене микросхем пока не поступало, но вот выпускаемые в настоящее время 2 Гбит микросхемы на сегодняшний день имеют цену около 39 долларов США.
Источник: PC POP