STMicroelectronics сообщила о начале серийного производства 1 Гбит и 512 Мбит микросхем NAND-флэш, которые являются первыми решениями в портфолио NAND-флэш памяти компании. NAND1G и NAND512, как отмечается в пресс-релизе, доступны в двух вариантах – с напряжением питания 1,8 и 3,0 В (NAND01GR3A, NAND512R3A и NAND01GW3A, NAND512W3A соответственно).
Организация микросхем – 32 страницы x 4096 и x 8192 блока, которые при записи и чтении адресуются как единое целое. Скорость удаления блока – 2 мс. Размерность страницы — 528 Bytes (512 + 16 свободных) или 264 Words (256 + 8 свободных) в зависимости от шины микросхемы — x 8 или x 16. Свободные байты обычно хранятся для идентификации плохих блоков, ECC или программных флагов. Каждый блок выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи; время хранения данных – 10 лет.