Достаточно интересная информация, касающаяся планов Micron, поступила из корейских источников – если раньше кроме общих заявлений о выходе компании на рынок флэш-памяти и слухов ничего не было известно, то теперь многие вопросы отпали сами собой.
Как уже известно читателям, американский производитель памяти решил расширить линейку предлагаемых наименований продукции и теперь помимо DRAM разных типов микросхем (DDR2 SDRAM, GDDR SDRAM, SDR SDRAM, DDR SDRAM, Mobile SDRAM, LDRAM) и модулей, PSRAM (линейка CellularRAM), CMOS матриц и флэш-памяти (линейка Q-Flash) начнет заниматься NAND-флэш. Micron уже опробован выпуск 2 Гбит микросхем NAND-флэш, выполненных с использованием норм 0,09-мкм техпроцесса, в ближайшее время производитель готовится представить 1,2 и 8 Гбит решения.
Образцы будут готовы, по словам представителей компании, в апреле-мае, а массовое производство начнется в конце текущего года. По оценкам специалистов Micron, если все пойдет, как задумано, к 2007 году рыночная доля компании в секторе NAND-флэш будет аналогична с долей компании в секторе DRAM. Отвечая на вопросы журналистов, вице-президент группы по сетям и коммуникациям Micron отметил, что Intel не прикладывала руки к разработке NAND-флэш памяти: "используя MCP-корпуса, Intel встраивает в микросхемы только NOR-флэш, а недавние инвестиции производителя процессоров а Micron касались только микросхем DRAM высокой плотности",- сообщает Digitimes.
По материалам Digitimes, Digital Times