В полку сторонников технологии X-architecture прибыло: Applied Materials совместно с Cadence Design Systems сообщают о выпуске первого прототипа 65-нм чипа с диагональными внутричиповыми соединениями. По данным консорциума X Initiative, в прошлом году Applied изготовила прототип 90-нм чипа по X-architecture.
Напомним вкратце, что речь идет о применении диагональных внутричиповых проводниковых соединений вместо традиционной сетки (Manhattan Grid). Новая технология соединения разных частей чипа друг с другом, по замыслу создателей, позволяет создавать микросхемы с более высоким быстродействием и сниженным потреблением электроэнергии, а также немного сэкономить на материалах для проводников.
На проходящей в эти дни конференции SPIE Applied и Cadence представили две научные статьи, посвященные перспективам масштабирования X-architecture чипов в область меньших норм. Для выпуска 65-нм микросхемы использовался 193-нм сканер Canon.
Ссылки по теме:
Источник: Parasound