Elpida: 256 Мбит чипы DDR2-533 SDRAM и 1 Гб SO-DIMM — Axbat @ 16.02.2004 12:01

Несмотря на то, что, как сегодня уже отмечалось, данных о сертификации Intel модулей памяти DDR2 SDRAM еще нет, сами производители анонсируют такие решения. В частности, компания Elpida сообщила о выпуске и начале поставок первых 1 Гб DDR2 SDRAM SO-DIMM, а также о поставках образцов 256 Мбит компонентов DDR2 SDRAM для серверов и настольных систем. Полная линейка микросхем и модулей DDR2 SDRAM будет представлена японским производителем на IDF.

Пока же ограничимся просто упоминанием решений, которые будут представлены: портфолио компонентов DDR2 SDRAM Elpida включает в себя 256, 512 Мбит и 1 Гбит версии, линейка модулей представлена 1 Гб SO-DIMM, небуферизованными 512 Мб и 1 Гб DIMM, регистровыми (registered) 512 Мб, 1 и 2 Гб DIMM. Все модули выполнены на 512 Мбит микросхемах DDR2 SDRAM.

Краткие характеристики 256 Мбит DDR2 SDRAM Elpida

• Наименования — EDE2504AASE-5x/4x-E; EDE2508AASE-5x/4x-E; EDE2516AASE-5x/4x-E
• Организация — 64M/32M/16M words x 4-/8-/16-bits соответственно
• Техпроцесс – 0,11-мкм
• Тактовая частота – 533 МГц
• CAS Latency – 3, 4, 5
• Длина пакета – 4,8
• Напряжение питания – 1,8 В
• Корпусировка – 64 или 84-контактный FBGA
• Применение – 256 и 512 Мб регистровые DIMM, 256 Мб SO-DIMM

Краткие характеристики 1 Гб DR2 SDRAM SO-DIMM

• Наименования — EBE11UD8ABDA-5x-E; EBE11UD8ABDA-4x-E
• Шестнадцать 512 Мбит компонентов DDR2 SDRAM, в корпусе sFBGA (stacked FBGA)
• Организация — 128M words x 64-bits x 2 ranks, пропускная способность – 533 Мбит/с

Данные о компонентах:

• Техпроцесс – 0,11-мкм
• Напряжение питания – 1,8 В
• Длина пакета – 4,8
• CAS Latency – 3, 4, 5
• Внешняя калибровка выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD)
• Встроенная терминация (on-die termination, ODT)