1 Гбит чипы DDR2 400 SDRAM Micron сертифицированы Intel — Axbat @ 04.02.2004 12:22

Компания Micron Technology сообщила о получении сертификации своих микросхем DDR2 400 и DDR2 533 SDRAM (трех плотностей) у Intel, причем, до сих пор никто не получал сертификацию 1 Гбит микросхем DDR2 400 (по данным Intel) — и в этом отношении Micron опередила соперников. Среди представленных Intel микросхем Micron – 256 и 512 Мбит DDR2 533 SDRAM и, соответственно, 1 Гбит чипы DDR2 400 SDRAM.

На этих компонентах будут собираться регистровые и небуферизованные DIMM емкостью от 128 Мб до 4 Гб. В частности, такие модули будут использоваться в системах на чипсете Grantsdale.

Небольшой экскурс в прошлое: 256 Мбит чипы DDR2 SDRAM были представлены в середине октября. К тому моменту Intel сертифицировала чипы DDR2-400 с архитектурой x4 и x8, а также чипы DDR2-533 с архитектурой x8. В 2004 году DDR2-400 будет использоваться, в основном, в серверных платформах, DDR2-533 – в настольных системах.

Образцы 1 Гбит чипов DDR2-400 и DDR2-533 были представлены компанией в конце октября. Эти решения выполнены с использованием норм 0,11-мкм техпроцесса:

В начале января Micron сообщила о начале серийного производства сертифицированных микросхем, что, определенно, дает американскому производителю некоторые преимущества по сравнению с другими конкурентами. Полный список производителей и сертифицированных чипов DDR2 400/533 SDRAM приводится ниже (ВНИМАНИЕ! Актуально только на момент публикации!)

Микросхемы DDR2 533 SDRAM
Производитель, наименование Плотность Шина (бит) Латентность
CL-tRCD-tRP
Elpida
EDE5108ABSE-5C
512 Мбит 8 4-4-4
Hynix
HY5PS12821 F-C4
512 Мбит 8 4-4-4
Micron
MT47H32M8FP-37E
256 Мбит 8 4-4-4
Micron
MT47H64M8BT-37E
512 Мбит 8 4-4-4
Samsung
K4T51163QB-GCD5
512 Мбит 16 4-4-4
Samsung
K4T51083QB-GCD5
512 Мбит 8 4-4-4

 

Микросхемы DDR2 400 SDRAM
Производитель, наименование Плотность Шина (бит) Латентность
CL-tRCD-tRP
Elpida
EDE5108ABSE-4C
512 Мбит 8 4-4-4
Elpida
EDE5108ABSE-4A
512 Мбит 8 3-3-3
Elpida
EDE5104ABSE-4C
512 Мбит 4 4-4-4
Elpida
EDE5104ABSE-4A
512 Мбит 4 3-3-3
Hynix
HY5PS12821F-E4
512 Мбит 8 4-4-4
Hynix
HY5PS12821F-E3
512 Мбит 8 3-3-3
Hynix
HY5PS12421F-E3
512 Мбит 4 3-3-3
Infineon
HYB18T512800AC-5
512 Мбит 8 4-4-4
Infineon
HYB18T512800AC-5
512 Мбит 8 3-3-3
Infineon
HYB18T512400AC-5
512 Мбит 4 4-4-4
Infineon
HYB18T512400AC-5
512 Мбит 4 3-3-3
Micron
MT47H32M8FP-5
256 Мбит 8 4-4-4
Micron
MT47H32M8FP-5E
256 Мбит 8 3-3-3
Micron
MT47H64M4FP-5
256 Мбит 4 4-4-4
Micron
MT47H64M4FP-5E
256 Мбит 4 3-3-3
Micron
MT47H64M8BT-5
512 Мбит 8 4-4-4
Micron
MT47H64M8BT-5E
512 Мбит 8 3-3-3
Micron
MT47H128M4BT-5
512 Мбит 4 4-4-4
Micron
MT47H128M4BT-5E
512 Мбит 4 3-3-3
Micron
MT47H256M4BT-5
1 Гбит 4 4-4-4
Micron
MT47H256M4BT-5E
1 Гбит 4 3-3-3
Samsung
K4T56083QF-GCCC
256 Мбит 8 4-4-4
Samsung
K4T56083QF-GCCC
256 Мбит 8 3-3-3
Samsung
K4T56043QF-GCCC
256 Мбит 4 4-4-4
Samsung
K4T56043QF-GCCC
256 Мбит 4 3-3-3
Samsung
K4T51163QB-GCCC
512 Мбит 16 4-4-4
Samsung
K4T51163QB-GCCC
512 Мбит 16 3-3-3
Samsung
K4T51083QB-GCCC
512 Мбит 8 4-4-4
Samsung
K4T51083QB-GCCC
512 Мбит 8 3-3-3
Samsung
K4T51043QB-GCCC
512 Мбит 4 4-4-4
Samsung
K4T51043QB-GCCC
512 Мбит 4 3-3-3

 




[ Поиск ] [ Архив ]