Компания Micron Technology сообщила о получении сертификации своих микросхем DDR2 400 и DDR2 533 SDRAM (трех плотностей) у Intel, причем, до сих пор никто не получал сертификацию 1 Гбит микросхем DDR2 400 (по данным Intel) — и в этом отношении Micron опередила соперников. Среди представленных Intel микросхем Micron – 256 и 512 Мбит DDR2 533 SDRAM и, соответственно, 1 Гбит чипы DDR2 400 SDRAM.
На этих компонентах будут собираться регистровые и небуферизованные DIMM емкостью от 128 Мб до 4 Гб. В частности, такие модули будут использоваться в системах на чипсете Grantsdale.
Небольшой экскурс в прошлое: 256 Мбит чипы DDR2 SDRAM были представлены в середине октября. К тому моменту Intel сертифицировала чипы DDR2-400 с архитектурой x4 и x8, а также чипы DDR2-533 с архитектурой x8. В 2004 году DDR2-400 будет использоваться, в основном, в серверных платформах, DDR2-533 – в настольных системах.
Образцы 1 Гбит чипов DDR2-400 и DDR2-533 были представлены компанией в конце октября. Эти решения выполнены с использованием норм 0,11-мкм техпроцесса:
В начале января Micron сообщила о начале серийного производства сертифицированных
микросхем, что, определенно, дает американскому производителю некоторые преимущества
по сравнению с другими конкурентами. Полный список производителей и сертифицированных
чипов DDR2 400/533 SDRAM приводится ниже (ВНИМАНИЕ!
Актуально только на момент публикации!)
| Микросхемы DDR2 533 SDRAM | |||
| Производитель, наименование | Плотность | Шина (бит) | Латентность CL-tRCD-tRP |
| Elpida EDE5108ABSE-5C |
512 Мбит | 8 | 4-4-4 | Hynix HY5PS12821 F-C4 |
512 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Micron MT47H32M8FP-37E |
256 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Micron MT47H64M8BT-37E |
512 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Samsung K4T51163QB-GCD5 |
512 Мбит | 16 | 4-4-4 |
| Samsung K4T51083QB-GCD5 |
512 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Микросхемы DDR2 400 SDRAM | |||
| Производитель, наименование | Плотность | Шина (бит) | Латентность CL-tRCD-tRP |
| Elpida EDE5108ABSE-4C |
512 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Elpida EDE5108ABSE-4A |
512 Мбит | 8 | 3-3-3 | Elpida EDE5104ABSE-4C |
512 Мбит | 4 | 4-4-4 | Elpida EDE5104ABSE-4A |
512 Мбит | 4 | 3-3-3 |
| Hynix HY5PS12821F-E4 |
512 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Hynix HY5PS12821F-E3 |
512 Мбит | 8 | 3-3-3 |
| Hynix HY5PS12421F-E3 |
512 Мбит | 4 | 3-3-3 |
| Infineon HYB18T512800AC-5 |
512 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Infineon HYB18T512800AC-5 |
512 Мбит | 8 | 3-3-3 |
| Infineon HYB18T512400AC-5 |
512 Мбит | 4 | 4-4-4 |
| Infineon HYB18T512400AC-5 |
512 Мбит | 4 | 3-3-3 | Micron MT47H32M8FP-5 |
256 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Micron MT47H32M8FP-5E |
256 Мбит | 8 | 3-3-3 |
| Micron MT47H64M4FP-5 |
256 Мбит | 4 | 4-4-4 |
| Micron MT47H64M4FP-5E |
256 Мбит | 4 | 3-3-3 |
| Micron MT47H64M8BT-5 |
512 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Micron MT47H64M8BT-5E |
512 Мбит | 8 | 3-3-3 |
| Micron MT47H128M4BT-5 |
512 Мбит | 4 | 4-4-4 |
| Micron MT47H128M4BT-5E |
512 Мбит | 4 | 3-3-3 |
| Micron MT47H256M4BT-5 |
1 Гбит | 4 | 4-4-4 |
| Micron MT47H256M4BT-5E |
1 Гбит | 4 | 3-3-3 |
| Samsung K4T56083QF-GCCC |
256 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Samsung K4T56083QF-GCCC |
256 Мбит | 8 | 3-3-3 |
| Samsung K4T56043QF-GCCC |
256 Мбит | 4 | 4-4-4 |
| Samsung K4T56043QF-GCCC |
256 Мбит | 4 | 3-3-3 |
| Samsung K4T51163QB-GCCC |
512 Мбит | 16 | 4-4-4 |
| Samsung K4T51163QB-GCCC |
512 Мбит | 16 | 3-3-3 |
| Samsung K4T51083QB-GCCC |
512 Мбит | 8 | 4-4-4 |
| Samsung K4T51083QB-GCCC |
512 Мбит | 8 | 3-3-3 | Samsung K4T51043QB-GCCC |
512 Мбит | 4 | 4-4-4 | Samsung K4T51043QB-GCCC |
512 Мбит | 4 | 3-3-3 |