Micron начала серийное производство DDR2 SDRAM — Axbat @ 08.12.2003 16:57

Американская компания Micron Technology сообщила о начале серийного выпуска чипов DDR2 SDRAM. К настоящему моменту производитель поставляет компоненты всех плотностей, включая 256 Мбит, 512 Мбит и 1 Гбит решения. На этих компонентах будут собираться регистровые и небуферизованные DIMM емкостью от 128 Мб до 4 Гб. В частности, такие модули будут использоваться в системах на чипсете Grantsdale.

256 Мбит чипы DDR2 SDRAM были представлены в середине октября. К тому моменту Intel сертифицировала чипы DDR2-400 с архитектурой x4 и x8, а также чипы DDR2-533 с архитектурой x8. В 2004 году DDR2-400 будет использоваться, в основном, в серверных платформах, DDR2-533 – в настольных системах.

Образцы 1 Гбит чипов DDR2-400 и DDR2-533 были представлены компанией в конце октября. Эти решения выполнены с использованием норм 0,11-мкм техпроцесса:

• VDD = 1,8 В, VDDQ = 1,8 В
• I/O = SSTL_18
• Линейная скорость обмена данными: 400 Мбит/с на контакт или 533 Мбит/с на контакт
• Производительность: до 3200 Мб/с или 4300 Мб/с в 64-битных системах
• Организация: 4 банка для 256 Мбит и 512 Мб чипов, 8 банков для 1 Гбит и 2 Гбит чипов
• Поддерживаемые длины пакетов: 4 или 8
• Задержка на запись данных: WRITE latency = READ latency — 1 такт
• Опциональная поддержка двунаправленного стробирования READ latency: 3, 4, and 5
• Программируемые дополнительно вводимые задержки выдачи CAS# (Programmable additive CAS Latency): 0, 1, 2, 3 и 4 такта
• Дифференциальное стробирование (differential strobe)
• Внешняя калибровка выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD)
• Встроенная терминация (on-die termination, ODT)
• Корпусировка: FBGA

В середине октября Micron предоставила Intel для тестирования партии DDR2 SDRAM SO-DIMM, которые будут использоваться во втором поколении платформы Centrino — Sonoma, которое будет представлено во второй половине 2004 года. Модули высотой 30 мм выпущены в вариантах емкостью 128 Мб и 256 Мб, с организацией x16 и x8.