Первые 1 Гбит чипы DDR2-400 и DDR2-533 от Micron Technology — @ 24.10.2003 09:36

Компания Micron Technology объявила о начале поставок опытных партий 1 Гбит чипов DDR2 SDRAM. Именно на таких чипах возможно производство 4 Гб модулей памяти DDR2, которые также были представлены компанией в ограниченных количествах.

Новые 1 Гбит чипы DDR2-400 и DDR2-533 выполнены с соблюдением норм 0,11 мкм техпроцесса. Краткие основные характеристики чипов семейства DDR2 SDRAM:

• VDD = 1,8 В, VDDQ = 1,8 В
• I/O = SSTL_18
• Линейная скорость обмена данными: 400 Мбит/с на контакт или 533 Мбит/с на контакт
• Производительность: до 3200 Мб/с или 4300 Мб/с в 64-битных системах
• Организация: 4 банка для 256 Мбит и 512 Мб чипов, 8 банков для 1 Гбит и 2 Гбит чипов
• Поддерживаемые длины пакетов: 4 или 8
• Задержка на запись данных: WRITE latency = READ latency — 1 такт
• Опциональная поддержка двунаправленного стробирования READ latency: 3, 4, and 5
• Программируемые дополнительно вводимые задержки выдачи CAS# (Programmable additive CAS Latency): 0, 1, 2, 3 и 4 такта
• Дифференциальное стробирование (differential strobe)
• Внешняя калибровка выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD)
• Встроенная терминация (on-die termination, ODT)
• Корпусировка: FBGA