Texas Instruments сообщила некоторые детали своих 90-нм технологических процессах и о готовности начать вскоре массовое производство. Компания сообщает о внедрении нескольких достаточно новых технологий, в частности, обработки деформированного кремния, что теоретически может увеличить быстродействие транзисторов в 1,5 раза.
Остальные параметры 90-нм процессов TI примерно следующие: длина вентиля 37 нм, диэлектрическая проницаемость диэлектрика – 2,9 (что несколько ниже, чем у использовавшегося ранее 3,6). Ожидается, что первым клиентом TI, сделавшим заказ на 90-нм процессоры, будет Sun с 64-разрядным UltraSPARC.