На выставке CeBIT 2002 исследователи из Intel объявили о создании самой маленькой на данный момент в мире ячейки памяти SRAM площадью всего 1 кв. микрон.
![]() | ![]() |
| Чип SDRAM | 90 нм пластина |
Ячейка является структурным компонентом полнофункционального чипа памяти SRAM, произведенного по разработанной в Intel 90 нм (0,09 мкм) технологии, что подтверждает планы компании по массовому внедрению новой технологии в 2003 году.

Новая 0,09 мкм технология будет использоваться компанией для производства большинства своей продукции, в том числе процессоров, чипсетов и коммуникационного оборудования. Intel подчеркивает, что вся продукция по данной технологии будет производиться исключительно на 300 мм кремниевых пластинах.

Новые 52 Мбит чипы SRAM, созданные Intel на экспериментальной 300 мм фабрике D1C в Хиллсборо, штат Орегон, с использованием комбинации 193 нм и 248 нм литографических инструментов, содержат по 330 млн. транзисторов, при этом площадь микросхемы составляет 109 кв. мм. Производство микросхем памяти стандарта SRAM традиционно используется в отрасли для тестирования новых технологий создания логических микросхем.