Вот уж никогда не знаешь наверняка, что там придумают хитрые промышленники, лишь бы сэкономить на новых литографических инструментах. Вот, сегодня компания Applied Materials представила технологию нанесения пленок с применением химического замещения ионов (chemical vapor deposition или CVD), позволяющую производить транзисторы размером менее 100 нм (0,1 мкм) с помощью существующих 248-нм литографических инструментов.
Пленка Applied, названная Advanced Patterning Film (APF), предназначена для изготовления масок в производстве полупроводниковых микросхем по 0,09-мкм и 0,065-мкм нормам с применением CVD. Подробные детали этой технологии остаются пока тайной великой, однако кое-какие свойства этой пленки и способа ее применения все же известны. Пленка состоит из аморфного углерода и анти-отражающего диэлектрического покрытия (DARC, dielectric anti-reflective coating), а наносится она на поверхность полупроводника в специальных плазменных PECVD (plasma-enhanced CVD) системах.
Новая пленка позволяет использовать нынешние 248-нм литографические инструменты для создания чипов с элементами размером около 100 нм. Однако, говорят в Applied, уже для 90-нм норм ситуация обстоит уже хуже и для устойчивой работы на 50-нм нормах потребуются по крайней мере новые 193-нм инструменты.
Источник: PC Watch