Samsung Semiconductor сегодня представила 36 Мб модули памяти Quad Data Rate II (QDRII) SRAM, предназначенные для использования в высокоскоростном телекоммуникационном оборудовании.
Напряжение питания модулей 1,5 и 1,8 В, тактовая частота – 250 МГц. Пробные экземпляры доступны в 15х17 мм FBGA-корпусах с 165 выводами. Массовое производство модулей начнется в третьем квартале 2002 года.