Сообщается, что в лаборатории электронных компонент, технологий и материалов Delft Institute of Microelectronics разработали практический и экономный способ увеличения производительности индуктивных элементов в смешанных RF/CMOS-чипах. Для этого используется селективное наложение толстого слоя меди поверх индуктивных проводников, что позволяет увеличить добротность индуктивных элементов. Детально о новом способе будет рассказано на International Electron Devices Meeting, которое пройдет с 8 по 11 декабря в Сан-Франциско.
Новый способ позволяет решить следующую проблему: при уменьшении размера элемента CMOS уменьшается и количество проводящего вещества в проводниках. Из-за этого ухудшается проводимость проводников на высоких частотах ухудшается, а производительность чипа снижается.
Группа разработчиков из Delft предлагает добавлять слой металла (меди, а не алюминия, как предлагалось ранее) только для наиболее важных проводников. Слой меди наносится с помощью электролиза и его применение позволяет увеличить добротность до 3,2 раз.
Источник: Parasound