SanDisk и Toshiba объявили о разработке 90-нм технологического процесса для производства NAND флэш-памяти. Как сообщается, чипы флэш-памяти будут выпускаться по технологии MLC (многоуровневых ячеек) объемом до 2 и 4 Гбит.
Ожидается, что производство 90-нм чипов памяти начнется во втором полугодии 2003 года на заводе совместного предприятия FlashVision в Йоккайчи (Yokkaichi).