Подразделение Interconnect Division ISMT (International SEMATECH) сообщает о квалификации технологического процесса с применением диэлектриков с очень низкой диэлектрической постоянной (ultra low-k) на 300-мм пластинах.
Квалификация ultra low-k в лаборатории ATDF произошла через полгода после квалификации процесса на 200-мм пластинах и через два месяца после квалификации процесса с применением двуокиси кремния. В квалификационном ultra low-k процессе ISMT также использовался диэлектрик на основе силиката со значением диэлектрической постоянной 2,2. В процессе производится двойное дамаскирование, используются медные пластины и обычная CMP (химико-механическая планаризация). Технологическую основу для процесса предоставили Applied Materials, JSR, Novellus Systems, SEZ и Tokyo Electron.