Производитель встраиваемой памяти, MoSys Inc., сообщила, что китайский производитель чипов Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC) успешно освоил выпуск чипов 1T-SRAM по 0,18-мкм техпроцессу. Как отметил вице-президент SMIC по маркетингу, успешный выпуск чипов дает возможность создавать системы-на-чипе достаточно сложной архитектуры.
Особого достижения, правда никакого нет: в декабре прошлого года MoSys сообщила, что тайваньские чипмейкеры, UMC и TSMC, уже смогли выпустить чипы однотранзисторной SRAM по 0,15-мкм технологии.
Источник: USRSupport.ru