Компания Нynix Semiconductor Inc. сообщила о начале массового производства 256 Мбит чипов Handy SDRAM, мобильной SDRAM со сверхнизким энергопотреблением, которая предназначена для использования в мобильных телефонах нового поколения, КПК, цифровых фотокамерах и других портативных устройствах.
Напряжение питания Handy SDRAM - 1.8 В, корпусировка чипов - 54-контактный FBGA, чипы производятся по нормам 0,13-мкм технологического процесса. По оценкам вице-президента Hynix по маркетингу рынок DRAM с пониженным энергопотреблением к 2006 году превысит 1,5 млрд. долларов. Отмечается, что чипы памяти выполнены в соответствии со всеми требованиями JEDEC.