Samsung Electronics начала массовое производство 256 Мбит чипов GDDR2 — @ 28.08.2003 11:06

Сегодня компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 256 Мбит чипов памяти Graphics Double Data Rate2 (GDDR2) SDRAM. Использование таких чипов позволит упростить выпуск графических карт нового поколения с емкостью видео памяти до 512 Мб.

Чипы GDDR2 SDRAM от Samsung выполнены в соответствии с рекомендациями JEDEC, в стандартных 144-контактных корпусах Fine-pitch Ball Grid Array (FBGA), обладают поддержкой всех технических функциональных возможностей, документированных в спецификациях GDDR2, а именно:

• Напряжение питания 1,8 В
• Дифференциальное стробирование (differential strobe)
• Внешняя калибровка выходного сигнала (off-chip output driver calibration, OCD)
• Встроенная терминация (on-die termination, ODT)
• Программируемые задержки выдачи CAS# (Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 и 6 — Optional); программируемые дополнительно вводимые задержки Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4, импульсное прерывание
• Задержка на запись данных: строится по схеме задержка на чтение — 1 такт — Write Latency(WL) = Read Latency(RL) —1
• Поддерживаемые длины пакетов: Burst Length — 4 (Read/Write Interrupt Prohibited but only Read interrupted by Read & Write interrupted by Write are allowed), или 8 (Interleave/nibble sequential) Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
• 4 слова за цикл в режиме запрещения задержки операции чтения/записи при том, что задержка при чтении/записи разрешена в однофазных режимах
• 8 слов за цикл в режиме последовательных чередующихся / прерывающихся фаз в полностью программируемом (управляемом) режиме переключения между последовательным и чередующимся пакетным режимом
• Поддержка двунаправленного стробирования с опциональным однонаправленным — Bidirectional, (Single-ended data-strobe is an optional feature). Означает, что контроллер не обязательно должен находится в начале цепи, он может быть расположен в любом месте структуры. Для этого введен режим динамической подстройки полного сопротивления от источника — Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
• Для регенерации массива используется 2х-сокращенная авто- и саморегенерация (Auto Refresh, CBR, и Self Refresh, Refesh Period 7,8 мс, 8192 цикла регенерации / 64 мс)

В официальном заявлении Samsung указано, что ее 256 Мбит чипы GDDR2 SDRAM также поддерживают стандарт GDDR3, который, как ожидается, будет принят JEDEC в следующем месяце. Поставки новых чипов в адрес производителей графических карт уже начались.