Компания Renesas Technology представила линейку чипов SRAM с пониженным энергопотреблением, superSRAM, предназначенных для использования в портативных устройствах, например, сотовых телефонах.
Первыми чипами, выпущенными компанией, стали 16 Мбит решения серии R1LA1616R (1,8 В версия) и R1LV1616R (3 В версия). Площадь кристалла чипа составляет 32 мм2 – минимальный размер, которого можно добиться при использовании норм 0,15-мкм техпроцесса.

Чипы представлены в 52-контактном корпусе µTSOP (10.79 x 10.49 мм) на фото слева и 48-контактом FBGA (7.5 x 8.5). Эти же чипы со временем будут предложены в корпусе MCP. На втором этапе выпуска superSRAM, Renesas планирует выпустить 32 Мбит чипы в 52-контактном µTSOP.

Небольшие размеры чипа достигнуты за счет использования нового типа ячейки
памяти, которая, по сути, является комбинацией ячеек SRAM и DRAM – с одной стороны,
p-канальный тонкопленочный транзистор и n-канальный MOSFET, что типично для
ячейки SRAM, с другой стороны – stacked-конденсатор, что характерно для DRAM.
Таким образом, размер ячейки примерно наполовину меньше, чем размер ячейки CMOS
SRAM с 6-транзисторной структурой (при использовании одинакового техпроцесса,
разумеется).
| Наименование |
Напряжение питания. архитектура, корпусировка, время доступа | |
| Серия R1LA1616R | R1LA1616RSD-7SI | 1.8 В, 1Mx16, 52 pin TSOP, 70 нс |
| R1LA1616RSD-8SI | 1.8 В, 1Mx16, 52 pin TSOP, 85 нс | |
| R1LA1616RBG-7SI | 1.8 В, 1Mx16, 48 ball f-BGA, 70 нс | |
| R1LA1616RBG-8SI | 1.8 В, 1Mx16, 48 ball f-BGA, 85 нс | |
| Серия R1LV1616R |
R1LV1616RSD-7SI | 3 В, 1Mx16, 52 pin TSOP, 70 нс |
| R1LV1616RSD-8SI | 3 В, 1Mx16, 52 pin TSOP, 85 нс | |
| R1LV1616RBG-7SI | 3 В, 1Mx16, 48 ball f-BGA, 70 нс | |
| R1LV1616RBG-8SI | 3 В, 1Mx16, 48 ball f-BGA, 85 нс | |