По оценке Digitimes Research, в этом году капитальные вложения Samsung Electronics в полупроводниковое производство достигнут рекордной отметки — 15 миллиардов долларов. Уже шестой год подряд южнокорейский производитель инвестирует в развитие полупроводникового производства больше всех в мире.
Для сравнения: основной конкурент Samsung на рынке микросхем памяти DRAM, компания SK Hynix сохранит капитальные вложения примерно на прошлогоднем уровне — 5,1 млрд долларов. При этом на выпуск микросхем памяти DRAM приходится 3,8 млр долларов. Компания Samsung выделяет на эти цели 6,4 млрд долларов. Отметим, что указанные расходы двух южнокорейских производителей составляют примерно 75% всех капиталовложений в производство микросхем памяти DRAM в мире.
Примерно 4,7 млрд долларов Samsung выделяет на наращивание выпуска флэш-памяти NAND. Главным образом, эти средства предназначены для фабрики в Китае, которая специализируется на выпуске флэш-памяти с объемной компоновкой.
Капитальные затраты компании Samsung на выпуск логических микросхем в 2015 году увеличатся по сравнению с прошлым годом с 2,9 до 4 млрд долларов. Основная часть средств пойдет на расширение фабрики Line-17 в Корее и дальнейшее наращивание 14-нанометрового производства в США.
Источник: DigiTimes