Отраслевая организация JEDEC Solid State Technology Association, занимающаяся разработкой стандартов для микроэлектроники, на этой неделе объявила о публикации стандарта JESD229-2 Wide I/O 2.
Стандарт Wide I/O 2 закрепляет существенное увеличение скорости по сравнению с Wide I/O, сохранив свойственную Wide I/O архитектуру объемной компоновки TSV. Помимо повышения скорости, в стандарте описано увеличение емкости и энергетической эффективности памяти, предназначенной для мобильных устройств, таких, как смартфоны и карманные игровые консоли.
Говоря более конкретно, Wide I/O 2 обеспечивает увеличение пропускной способности в четыре раза (до 68 ГБ/с) по сравнению с предыдущей версией. При этом напряжение питания понижено, что привело к снижению энергопотребления и повышению энергетической эффективности. Улучшена и компоновка: чип Wide I/O 2 оптимизирован для размещения поверх кристалла SoC, что способствует дополнительному снижению энергопотребления и места, занимаемого на плате.
Стандартом предусмотрено наличие четырех или восьми каналов, 32 банков памяти в расчете на кристалл плотностью от 8 до 32 Гбит. Размер страницы равен 4 КБ (четырехканальный кристалл) или 2 КБ (восьмиканальный). Пропускная способность соответственно достигает 34 или 68 ГБ/с. Скорость линии ввода-вывода может быть равна 1066 или 800 Мбит/с. Напряжение питания — 1,1 В.
Представитель JEDEC сравнил появление памяти Wide I/O 2 с переходом от одноядерных процессоров к многоядерным, позволившим нарастить производительность без освоения новых техпроцессов и повышения частот. Таким же образом Wide I/O 2 обеспечивает прирост пропускной способности без повышения скорости передачи.
Стандарт JESD229-2 можно бесплатно загрузить с сайта JEDEC.
Источник: JEDEC