Первым встроенную память HBM получит APU AMD Carrizo или его преемник

Память HBM будет работать при напряжении питания 1,2-2,5 В

На минувшей неделе источник опубликовал предварительную информацию о гибридном процессоре AMD Carrizo. Предполагается, что этот APU или его преемник первым получит встроенную память DRAM. Интеграция чипов памяти в один корпус с APU позволит обойти ограничение по пропускной способности памяти, свойственное существующим системам. Речь идет о памяти HBM (High Bandwidth Memory).

Ранее применение памяти HBM рассматривалось в контексте GPU, а в новых слайдах AMD, которые оказались в распоряжении источника, говорится об интеграции DRAM и APU.

Память HBM будет работать при напряжении питания 1,2-2,5 В

Потенциал интеграции памяти в APU позволяют раскрыть уже опробованные на практике технологии, такие, как HSA (которая трансформируется в более продвинутый вариант HSA+).

Память HBM будет работать при напряжении питания 1,2-2,5 В

Память HBM будет работать при напряжении питания 1,2-2,5 В. Помимо одного чипа с логической схемой, в «стопку» чипов войдет два (вариант 2-Hi) или четыре (4-Hi) чипа памяти плотностью по 2 Гбит. При этом ширина шины памяти составит 512 или 1024 бита, а пропускная способность — 64 и 128 ГБ/с соответственно. Для сравнения: память GDDR5 с 32-разрядной шиной может похвастать пропускной способностью 28 ГБ/с.

Память HBM будет работать при напряжении питания 1,2-2,5 В

Память HBM будет работать при напряжении питания 1,2-2,5 В

Выход APU Carrizo ожидается в будущем году. В состав этих APU войдет x86-совместимый CPU на микроархитектуре Excavator и GPU на микроархитектуре GCN.

Источник: WCCFtech.com

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс